金凱博功率器件測(cè)控蘇州站：與金凱博面對(duì)面，破解功率器件可靠性測(cè)試真章——精準(zhǔn)聚焦IDM/模塊廠、新能源電驅(qū)、光伏逆變核心需求
在功率半導(dǎo)體器件邁向車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)超高可靠性的今天，讓我們相約蘇州CIAS2025半導(dǎo)體大會(huì),共同分享半導(dǎo)體行業(yè)的最新成果。CIAS2025 金凱博A18展位，將與您面對(duì)面，直擊功率半導(dǎo)體測(cè)試效率、標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)、成本控制三大核心命題。
在功率半導(dǎo)體測(cè)控領(lǐng)域，金凱博憑借30年的測(cè)控經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)積累，提供功率半導(dǎo)體測(cè)控整體解決方案，產(chǎn)品系列涵蓋：KC-3150功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)、KC-3130功率循環(huán)測(cè)試機(jī)、KC-3110高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)/IV曲線&CV曲線圖示儀、KC-3120動(dòng)態(tài)參數(shù)分析測(cè)試系統(tǒng)。以KC-3130功率循環(huán)測(cè)試機(jī)為例，標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電流為 1000A，最大可擴(kuò)展至 6000A，可滿足市面上所有功率器件的測(cè)試需求（包含Si/SiC/GaN/GaAs 材料的 IGBT、MOSFET 和二極 管等不同類型功率器件）；可同時(shí)進(jìn)行 6 個(gè)待測(cè)器件的測(cè)試（可升級(jí)至12 測(cè)試通道），定制化服務(wù)最大可拓展到 24 個(gè)通道，極大的提高測(cè)試效率和設(shè)備自身的可靠性。 KC-3130功率循環(huán)測(cè)試機(jī)廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體IDM/模塊廠、新能源電驅(qū)供應(yīng)商、光伏逆變等領(lǐng)域功率器件測(cè)試。
如果您對(duì)金凱博功率器件測(cè)試系統(tǒng)感興趣，請(qǐng)關(guān)注即將于4月23日-24日蘇州舉辦的CIAS2025 動(dòng)力·能源與半導(dǎo)體大會(huì)，作為半導(dǎo)體行業(yè)的盛會(huì)，CIAS2025將匯聚眾多頂尖廠商和最新技術(shù)，金凱博將在A18展位展示其最新的功率半導(dǎo)體測(cè)試解決方案。直面產(chǎn)業(yè)真問(wèn)題，賦能商業(yè)新增長(zhǎng)，金凱博期待您的蒞臨！
2025.04.23-24· 蘇州·知音溫德姆至尊酒店· 展位號(hào): A18
金凱博功率器件測(cè)控設(shè)備
KC-3150功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試系統(tǒng)
KC-3105 測(cè)試系統(tǒng)中可同時(shí)完成HTRB和DHTRB測(cè)試，整體架構(gòu)模塊化，通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，便于后期擴(kuò)展和維護(hù)。該系統(tǒng)集成度高、應(yīng)用覆蓋面廣，系統(tǒng)采用軟、硬件一體化設(shè)計(jì)且功能豐富，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的同時(shí)，可以快速滿足功率半導(dǎo)體可靠性測(cè)試需求。
AQG 324特別突出了功率循環(huán)試驗(yàn)，在整個(gè)SiC-MOSFET壽命試驗(yàn)相關(guān)內(nèi)容中，功率循環(huán)試驗(yàn)不僅被列為首項(xiàng)，且占據(jù)的篇幅超過(guò)其他所有試驗(yàn)項(xiàng)目之和。 KC-3130 測(cè)試系統(tǒng)中可同時(shí)秒級(jí)功率循環(huán)和分鐘級(jí)功率循環(huán)，整體架構(gòu)模塊化，通訊協(xié)議、通訊接口等采用統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，便于后期擴(kuò)展和維護(hù)。 在保證系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的同時(shí)，可快速滿足功率半導(dǎo)體可靠性測(cè)試需求。KC3130可測(cè)Si/SiC/GaN/GaAs 材料的 IGBT、MOSFET 和二極管等不同類型功率器件，包括焊接式封裝和壓接式封裝、硅基和碳化硅基等大功率器件可靠性測(cè)試。KC-3130功率循環(huán)測(cè)試機(jī)符合國(guó)標(biāo)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《Automotive Power Module Qualification Guideline 》AQG324，《Semiconductor devices-Discrete devices-Part 9: Insulated- gate bipolar transistors (IGBT)》IEC 60747-9:2007。
KC3110功率半導(dǎo)體高精度靜態(tài)特性測(cè)試系統(tǒng)，基于全新三代半SiC, GaN 器件和模塊以及車規(guī)級(jí)模塊的新興要求而進(jìn)行的一次高標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。本系統(tǒng)可以在3KV和1000/2000A的條件下實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量和參數(shù)分析，漏電流測(cè)試分辨率高達(dá)fA級(jí)，電壓測(cè)試分阱率最高可這nV級(jí)，以及3000V高壓 下的寄生電容的精密測(cè)量。全自動(dòng)程控軟件，圖型化上位機(jī)操作界面。 內(nèi)置開(kāi)關(guān)切換矩陣保證測(cè)試效率。模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)預(yù)留升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃?。測(cè)試接口可外掛各類夾具和適配器，還能夠通過(guò)專用接口連接各種 Handler：如分選機(jī)、機(jī)械手、探針臺(tái)、編帶機(jī)等。 可測(cè)Si、 SiC、 GaN 材料的IGBTs、 DIODEs、 LED、 MOSFETs、BJTs、 HEMTs、 電容、光耦。
KC3120功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可針對(duì)各類型 GaN、Si基及SiC基二極管、MOSFET、IGBT等分立器件的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，如開(kāi)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間、上升時(shí)間、下降時(shí)間、導(dǎo)通延遲時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、開(kāi)通損 耗、關(guān)斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺(tái)電壓、反向恢復(fù)時(shí)間、 反向恢復(fù)充電電量、反向恢復(fù)電流、反向恢復(fù)損耗、反向恢復(fù)電流變化率、反向恢復(fù)電壓變化率、輸入電容、輸出電容、反向轉(zhuǎn)移電容、短路。 通過(guò)更換不同的測(cè)試單元以達(dá)到對(duì)應(yīng)測(cè)試內(nèi)容，通過(guò)軟件切換可以選擇測(cè)試單元、測(cè)試項(xiàng)目及配置測(cè)試參數(shù)、讀取保存測(cè)試結(jié)果。
金凱博創(chuàng)建于1995年，現(xiàn)有員工350余人(其中50%為研發(fā)和技術(shù)人員)。企業(yè)致力于成為一流的電子測(cè)量與測(cè)控一體化解決方案提供商。獲得含18件發(fā)明專利、46件實(shí)用新型專利和68件軟著在內(nèi)的154件自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。經(jīng)過(guò)30年的發(fā)展，金凱博集團(tuán)已成為測(cè)控領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，成為近300家新能源、汽車電子、智能家電、半導(dǎo)體等行業(yè)頭部品牌一級(jí)供應(yīng)商。
金凱博咨詢電話：400-1818-170
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